世界領先的多晶硅制造技術
采用硅烷流化床法生產粒狀多晶硅（顆粒硅），此種技術硅烷轉化率接近百分之百，生產電耗極低，對比改良西門子法而言，生產成本低、技術門檻高、顆粒硅產品無需破碎、流動性好，適用于RCz直拉單晶硅智能制造或CCz工藝。
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顆粒硅產品品質滿足單晶用料需求
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可連續生產顆粒硅，產品無需破碎，不引入二次污染
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單套反應器產能達五千噸、世界先進水平的流化床反應系統
采用改良西門子法生產制造多晶硅，自主研發了GCL多晶硅生產技術，此種技術能夠高效地利用三氯氫硅，生產耗電較少，對比傳統西門子法而言能夠同時兼顧到環境保護，減少生產流程中的污染。
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全閉環多晶硅還原技術
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世界先進、獨具特色的GCL法多晶硅生產工藝
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單套產能10萬噸、世界先進水平的冷氫化系統
業界領先的鑄錠單晶技術
鑄錠單晶產品是鑄錠技術的終極目標，采用多晶鑄錠爐，在常規多晶鑄錠的工藝基礎上通過獨創的籽晶鋪設技術加入單晶籽晶，以定向凝固的方式生產鑄錠單晶。該鑫單晶硅片從晶體結構、微觀缺陷和表面形貌上來看，與直拉單晶相差無幾。
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鑫單晶硅片的氧含量僅為直拉單晶硅片的50%以下，可顯著降低硼氧復合導致的光致衰減
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鑫單晶硅片尺寸靈活，更能滿足客戶的定制化尺寸需求，兼容166、210等大尺寸硅片
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完美適配MBB、PERC、雙面、MWT、半片、疊瓦、拼片等電池組件技術
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鑫單晶硅片性價比更高，給終端客戶帶來更低初始投入和更低度電成本
連續直拉單晶（CCz）技術
CCZ技術是直拉單晶技術的終極技術，具有連續投料、連續拉晶等特點，與常規RCz直拉單晶工藝相比，該技術單爐產量更高，一爐能拉出6-10根單晶硅棒，單晶硅棒的電阻率分布更窄。
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CCz技術拉制的單晶硅棒電阻率非常集中，在未來的N 型電池市場，CCz 將會有明顯的優勢
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適用于拉制硅部件用大尺寸硅棒
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采用連續加料的方式，單爐產量比RCz技術高20%以上，生產成本至少低10%。
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自主研發的濕法黑硅技術通過在硅片表面形成亞微米級絨面，完美解決了表面過于光滑、反射率高的技術難題，同時，更佳的陷光性能帶來光電轉換效率進一步提升，達到行業領先水平，已實現20GW規?；慨a。
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黑硅技術使得金剛線切割多晶得以普及，大大降低了多晶硅片生產成本
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雙面黑硅升級為單面黑硅，進一步降低了黑硅成本
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“背鈍化”與“黑硅陷光”的“完美”結合，實現了“1+1>2”的效果
高效多晶鑄錠技術
多晶鑄錠研發創新及高效多晶硅片產品始終保持行業標桿地位，先后推出鑫多晶S1、S2、S3、S4迭代產品，持久的差異化競爭優勢，確保了產品在客戶端性能表現始終保持領先。
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獨特創新的設備設計、控制系統開發、熱場設計、工藝優化和輔材優化，保障了公司多晶鑄錠技術的核心競爭力，構建了公司特有的多晶鑄錠技術生態圈
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特有的熱場設計，結合計算機仿真模擬優化技術，提升了產品品質，在現有設備基礎上熱場尺寸持續升級
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行業領先的設備設計能力，保障了工藝能力的有效實現，實現了工藝技術和設備的充分融合
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全新的共摻雜技術投入量產，徹底解決了多晶電池片的光衰問題，為PERC等高效電池工藝提供更寬廣的空間
金剛線切片技術
GCL引入金剛線切片技術，并率先實現了砂線切片機金剛線改造的突破，引領了多晶硅片砂線切割向金剛線切割的技術升級，在降低硅片成本方面取得了較大突破。
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與傳統的游離磨料砂線切割相比，切割效率提升150%左右
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金剛線切割精度保持穩定，成品率大大提高
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更適用于細線化、薄片化生產，較傳統工藝降低綜合成本至少25%
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大幅度減少廢線鋸、廢砂漿的產生
- 切割砂漿可以循環利用，切割粉屑便于回收
