產品介紹
- 鑫單晶G1硅片
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- 2011年發布了“鑫單晶”類單晶硅片，其轉換效率最高可達18.5%，接近傳統的直拉單晶硅片；
- “鑫單晶”的成本要低于直拉單晶硅片，與定向凝固多晶鑄錠成本相近；
- 鑫單晶硅片光衰減要優于直拉單晶硅片，平均低一個百分點以上。
- 鑫單晶G2硅片
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- 2013年12月，公司發布了其第二代類單晶硅片產品-“鑫單晶G2”，并宣布其進入商業化量產。
- 相較于2011年發布的第一代類單晶“鑫單晶G1”產品，“鑫單晶G2”平均光電轉換效率提升了1.1%，硅片性能取得大幅度提升，可用于制備280/335W（60/72PCS）以上的電池組件。
- 相較于以傳統直拉法制得的單晶產品，“鑫單晶G2”在電池制備過程中有0.5%的額外效率增益，光衰平均低1%，同時具有轉換效率相近、面積大、封裝損失低等特點，是單晶鑄錠技術取得的重大產品突破。
- 鑫單晶G3-全新的鑄錠技術平臺
- 第四代鑄錠單晶硅片產品——G4
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- G4鑄錠單晶硅片較上一代G3產品效率提升0.10~0.15%
- G4已在部分客戶實現批量導入，同產線、同工藝條件下與直拉單晶效率差值0.2%以內
- PERC+SE電池工藝條件下，G4量產平均效率均值＞22.1%，外觀完美
- 鑄錠單晶產品尺寸靈活，未來更傾向于166尺寸
- 以158.75尺寸硅片、72片版型為例，組件功率全面突破400Wp，檔位更為集中
- 適用于PERC\MWT\MBB\雙面\topcon等各種電池工藝
- 適用于半片、拼片、疊瓦組件等各種組件技術
